تبدأ شركة سامسونج الإنتاج الضخم لذاكرة DDR4 المميزة بدقة تصنيع 10 نانومتر خلال النصف الثاني من هذا العام، حيث من المقرر أن تأتي ذاكرة 1z-nm DRAM بسعة 8 جيجا بايت.
وأعلنت شركة سامسونج عن تطوير ذاكرة 1z-nm 8Gb DDR4، لتدعم الجيل القادم من الخوادم وأجهزة الحاسب المتطورة المقرر إطلاقها في 2020.
وفقا لموقع fonearena، من المقرر أن تضع ذاكرة 1z-nm DRAM النواة للجيل القادم من واجهات DRAM، والتي يأتي من بينها DDR5، و LPDDR5، وأيضاً GDDR6.
